中国半导体材料学术委员会委员 SEMI中国标准化半导体分委会委员

1.“中子辐照直拉硅退火后的施主行为”核技术，1997 2.“氩气流场分布与CZSi单晶中氧含量关系的研究”中国学术期刊，2000，vol.6,No.8,1028639 3.“大直径直拉硅单晶炉热场改造及数值模拟”人工晶体学报，2000,vol.29,No.4,381 4.“热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响”材料研究学报，2001,vol.15,No,3 5.“F6”CZSi热系统改造对原生缺陷密度的影响”中国科学, 2001, vol.31,No.7,639 6. 直径200mm太阳能CZ-Si 单晶复合式热场的数值模拟，科学技术与工程，2003. 第3卷 第1期 7. The effects of CZ-Si furnace modification on density of grown in defects CHINA..SCIENCE，2002． 第3期 8. Annealing Behavior of New Micro-defects in <111>P-type large-diameter CZ-Si Crystal RARE METALS，2001.12 第4期 9. Study on Grown-in Defects In Large-Diameter CZ-Si，SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY，2001. 第13期 10.The effects of Argon Gas Flow Rate and Guide Shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth Rare metal Vol.25，No，1，Feb 2006