个人简介
黄风义 职称：教授
办公室：四牌楼李文正楼北407室 学习经历：
1982年-1986年北京大学物理系，学士学位
1986年-1988年复旦大学物理系，半导体物理专业，硕士学位
1991年-1994年美国依利诺斯大学香槟分校（简称UIUC），获工程博士学位
工作经历:
1994年-1997年加州大学洛杉矶分校（UCLA），电子工程系，博士后
1997年-2001年任IBM 公司的高级工程师，在IBM 高等半导体工艺中心（纽约）的硅生产线上负责锗硅BiCMOS技术的工艺集成。作为SiGe项目组主要高级工程师之一，为IBM公司在锗硅技术开发方面做了重大贡献,获“IBM 微电子部总经理的杰出贡献奖”。拥有锗硅BiCMOS及SOI BiCMOS领域9项美国专利
2001.11-2002.10中国科学院半导体研究所，中国科学院“百人计划”特聘研究员，半导体研究所微电子中心兼职副主任
2003年–今教育部“**学者”特聘教授，博导，东南大学，信息科学与工程学院，移动通信国家重点实验室，射频和光电集成电路研究所，副所长
教授课程：
集成电路技术与发展综述-本科
集成电路的器件工艺和模型-博士 获奖情况：
2009年江苏省“科技进步三等奖”；
2007年江苏省“333高层次人才培养工程”中青年科学技术带头人；
2006年江苏省六大人才高峰行动计划资助人选
2005年教育部“**学者和创新团队发展计划”创新团队研究骨干
2003年教育部“**学者奖励计划”特聘教授
1999年IBM微电子部总经理杰出贡献奖
1989年英国“海外留学生研究奖”
1988年“李政道物理学奖” 科研项目：
项目名称 项目类别 项目时间 工作类别 项目金额
面向IMT-A等宽带无线通信系统的射频芯片、器件与模块研发
国家科技重大专项
2009-2012
工程应用
852万元
TD-LTE-Advanced终端射频芯片工程样片研发
国家科技重大专项
2012-2016
工程应用
249万元
基于固态电子的太赫兹（THz）电脉冲辐射的研究与实现
国家自然基金
2015-2018
应用基础研究
80万元
基于特征函数法的纳米超高速晶体管毫米波建模研究
国家自然基金
2018-2020
应用基础研究
63万元
纳米CMOS工艺高速数模混合锁相环频率合成器非理想特性模型研究
国家自然基金
2008-2010
应用基础研究
32万元
宽带无线通信射频前端SOC芯片设计与实现
科技部863计划
2009-2012
工程应用
417万元
专利：
专利号 专利名称 专利类型
201010022764.2
一种太赫兹成像系统的探测装置
发明专利授权
201010022736.0
低电压静态分频器集成电路芯片
发明专利授权
201010022735.6
新型全集成双频段低噪声放大器集成电路结构
发明专利授权
201110000291.0
利用共面波导馈电的太赫兹螺旋天线
发明专利授权
201410637767.5
器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法
发明专利授权
201410682700.3
一种TDD/FDD双模可重构的无线通信系统及通信方法
发明专利授权
201410717802.4
一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置
发明专利授权
201410768201.6
直流失调消除电路
发明专利授权
研究领域
1、射频/微波集成电路设计
2、射频模型研究
近期论文
[1]* F. Y. Huang, et al. , “An improved small-signal equivalent circuit for GaN high electron mobility transistors,” IEEE Electron Device Letters.2016, Volume: 37, Pages: 1399 - 1402.
[2]*）F.Y. Huang, et al., and Yangyuan Wang, “Frequecy-independent asymmetric double-π equivalent circuit for silicon on-chip spiral inductors, physics-based modeling and parameter extraction,” IEEE Journel of Solid-State Circuit, vol. 41, No.10, pp.2272-2283, Oct. 2006.
[3]*）F. Y. Huang, J.X. Lu, Y.F. Zhu, N. Jiang, X.C. Wang, and Y.S. Chi, “Effect of substrate parasitic effect on silicon-based transmission lines and on-chip inductors,” IEEE Electron Dev Lett, vol.28, No.11, pp.1025-1028 Nov.2007.
[4] J.X. Lu, Fengyi Huang, and Y.S. Chi, “An Analytical Approach to Parameter Extraction for On-Chip Spiral Inductors With Double-pi Equivalent Circuit,” IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), San Francisco, USA, pp. 221-224, Jun. 2006.
[5]F.Y. Huang, Jingxue Lu, and Nan Jiang, “Scalable Distributed-capacitance Model for Silicon on-chip Spiral Inductors”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 48, NO.7, pp.1423-1427,July 2006.
[6]F. Y. Huang, J.X. Lu, D.M. Jiang, and N. Jiang , “A Novel Analytical Approach to Parameter Extraction for on-chip Spiral Inductors Taking into account High-order Parasitic Effect,” Solid-State Electronics, 50, pp.1557-1562, 2006.
[7]F. Y. Huang, N. Jiang, and E.L. Bian, “Characteristic-function approach to parameter extraction for asymmetric equivalent circuit of on-chip spiral inductors,” IEEE Trans. MTT, vol. 54, pp.115-119, Jan. 2006.