教育背景 2010.9-2015.6，中国科学院大学研究生院，微电子学与固体电子学，博士 2006.9-2010.6，河南大学，物理学，学士 工作简历 2018.3-至今，中国科学院微电子研究所，副研究员 2015.7-2018.3，中国科学院微电子研究所，助理研究员

二维材料电子器件与电路

1、Song-angPeng,ZhiJin,DayongZhangetal.“HowDoContactandChannelContributetotheDiracPointsinGrapheneField‐EffectTransistors?”,Adv.Electron.Mater,2018,4(8). 2、Song-angPeng,ZhiJin,DayongZhangetal.“Carrier-Number-FluctuationInducedUltralow1/fNoiseLevelinTop-GatedGrapheneFieldEffectTransistor”,ACS.Appl.Mater.Interfaces,2017,9(8),pp6661–6665. 3、Song-angPeng,ZhiJin,DayongZhangetal.“Evidenceofelectricfieldtunabletunnelingprobabilityingrapheneandmetalcontact”,Nanoscale.2017,9(27),9520-9528. 4、Song-angPeng,ZhiJin,PengMaetal.“Effectofsource-gatespacingondcandrfcharacteristicofgraphenefieldeffecttransistor”,Appl.Phys.Lett.106(2015)022504. 5、Song-angPeng,ZhiJin,PengMaetal.“Thesheetresistanceofgrapheneundercontactanditseffectonthederivedspecificcontactresistivity”,Carbon.82(2015)pp.500-505. 6、Song-angPeng,ZhiJin,PengMaetal.“Heavilyp-typedopedchemicalvapordepositiongraphenefield-effecttransistorwithcurrentsaturation”,Appl.Phys.Lett.103(2013)223505.