个人简介

1958年毕业于复旦大学物理系, 1981年任红外物理研究室主任,1985年至1989年任中国科学院红外物理开放实验室主任,国家重点实验室主任;1989年至1993年任红外物理国家重点实验室主任,1993年起任该室学术委员会主任,2001年起兼任复旦大学教授。现任中国科学院上海技术物理研究所研究员,学位评定委员会主任,博士生导师。中国科学院院士。兼任国际红外毫米波和太赫兹系列会议国际组织委员会委员和国际杂志“固态通讯”编委。并担任多种国际学术团体与刊物的领导职务

研究领域

主要从事固体光谱及其实验方法等方面的研究。主要研究成果有:提出并首先实现光调制共振激发谱、高压下调制光谱、带间跃迁增强与诱发回旋共振,使一些弱固体光谱现象观测成为可能。首先观察到半导体晶体中新一类局域化振动模,发展了固体中杂质振动的理论;发现半磁半导体中 d电子和 p电子态间杂化;首次测定塞曼杂化态波函数的混合与重组;最先观测到和测定GaAs调制掺杂多层结构的量子化能级,实验揭示了这种结构可形成超晶格和量子阱;研究硅光热电离光谱灵敏度数量级的提高,成为目前超纯材料浅杂质研究检测的主要方法之一,观察到硅中新施主中心和多条与杂质高激发态相关的谱线

主要从事凝聚态光谱及其实验方法等方面的研究。主要研究成果有:提出并首先实现光调制共振激发谱、高压下调制光谱、带间跃迁增强与诱发回旋共振,使一些弱固体光谱现象观测成为可能。首先观察到半导体晶体中新一类局域化振动模,发展了固体中杂质振动的理论;发现半磁半导体中 d电子和 p电子态间杂化;首次测定塞曼杂化态波函数的混合与重组;最先观测到和测定GaAs调制掺杂多层结构的量子化能级,实验揭示了这种结构可形成超晶格和量子阱;研究硅光热电离光谱灵敏度数量级的提高,成为目前超纯材料浅杂质研究检测的主要方法之一,观察到硅中新施主中心和多条与杂质高激发态相关的谱线。关于InGaAs/GaAs中两类超晶格电子态共存、nipi结构光生载流子的长寿命等研究也有一定意义。现主要致力于单个纳米小量子结构光谱,量子态、微观量子互作用及其操控等研究。

近期论文

1. L.X.Sun, Zhanghai Chen, Q. J. Ren, K. Yu, L. H. Bai, W. H. Zhou, H. Xiong, Z.Q. Zhu, Xuechu Shen(S.C.Shen), Phys. Rev. Lett., 100, 156403 (2008).

2. Zhanghai Chen, W. H. Zhou, B. Zhang, C. H. Yu, J. B. Zhu, W. Lu, and S. C. Shen (Xuechu Shen), Phys. Rev. Lett., 102, 244103 (2009).

3. W. H. Zhou, Zhanghai Chen, B. Zhang, C. H. Yu, W. Lu, and S. C. Shen (Xuechu Shen) Phys. Rev. Lett., 105 024101 (2010).

4. W. Xie, H. X. Dong, S. F. Zhang, L. X. Sun, W. H. Zhou, Y. J. Ling, J. Lu, Xuechu Shen(S.C.Shen), Zhanghai Chen, Phys. Rev. Lett., 108, 166401 (2012).

5. Q. J. Ren, J. Lu, H. H. Tan, S. Wu, L. X. Sun, W. H. Zhou, W. Xie, Z. Sun, Y. Y. Zhu, C. Jagadish, S. C. Shen (Xuechu Shen), Zhanghai Chen, Nano Lett., 12(7), 3455-3459 (2012).