谢修华
博士
个人简介
招生方向 宽禁带半导体光电子
教育背景 2009-08--2014-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 理学博士 2005-09--2009-07 东北师范大学 理学学士
工作简历 2018-09~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 副研究员 2014-07~2018-09,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 助理研究员
科研项目 ( 1 ) 基于梯度带隙MgZnO的单载流子倍增型深紫外探测器的研究, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12 ( 2 ) 基于极化对称性破缺理论的II族氧化物半导体材料掺杂特性研究, 主持, 省级, 2019-01--2020-12 ( 3 ) II族氧化物半导体掺杂特性研究(曙光人才计划), 主持, 市地级, 2018-07--2021-07 ( 4 ) 氧化锌极性表面重构与缺陷形成研究, 主持, 市地级, 2017-01--2019-12
参与会议 (1)立方相MgZnO深紫外发光特性研究 第九届全国氧化锌学术会议 2019-04-13 (2)氧化锌自发极化对称性破缺与点缺陷调控 2018中国电子学会电子信息青年科学家论坛暨第二届半导体青年学术会议 2018-10-26 (3)control of impurities and native defects in zinc oxide 中国真空学会2018学术年会 2018-08-16 (4)氧化锌极性表面锌空位缺陷形成与调控研究 第八届全国氧化锌学术会议 2017-10-29 (5)Zn vacancies creation via (2×2) surface reconstruction of ZnO The 9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO-2016) 2016-10-30
研究领域
宽禁带半导体光电子、分子束外延(MBE)、II族氧化物p型掺杂、异质结界面调控。
近期论文
(1) Controlled compensation via non-equilibrium electrons in ZnO, Scientific Reports, 2018, 第 1 作者 (2) Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices, Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 第 1 作者 (3) Hot carriers induced quenching of defects luminescence in Si doped AlN with Al core, Journal of Luminescence, 2018, 第 1 作者 (4) Eradicated unintentional incorporated donor-type impurities of ZnO, AIP Advances, 2018, 第 1 作者 (5) Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction, Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 第 1 作者 (6) Conduction band discontinuity and carrier multiplication at the MgxZn1-xO/MgyZn1-yO interface, RSC Advances, 2016, 第 1 作者 (7) Ultra-low threshold avalanche gain from solar-blind photodetector based on graded-band-gap-cubic-MgZnO, Optics Express, 2015, 第 1 作者 (8) Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic MgZnO films via gallium doping, Optics Express, 2014, 第 1 作者 (9) Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer, Applied Physics Letters, 2013, 第 1 作者 (10) Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phase-MgZnO/i-MgO/p-Si double heterojunction, Applied Physics Letters, 2012, 第 1 作者