招生专业 080903-微电子学与固体电子学

招生方向 功率半导体器件 宽禁带半导体器件 高性能传感器电路

教育背景 2009-09--2013-06 中国科学院大学 博士学历 工作简历 2004-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员

专利与奖励 1) 陆江等；一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 授权公告号：CN207993870U

2) 陆江等；一种绝缘栅双极晶体管 授权公告号：CN207624704U

3) 陆江等；一种霍尔基片结构及霍尔传感器 授权公告号：CN207624732U

4) 陆江等；用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号：CN204389541U

5) 陆江等；适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号：CN204347072U

6) 陆江等；三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号：CN204303799U

7) 陆江等；三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号：CN203069689U

8) 陆江等；34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号：CN203025260U

9) 陆江等；两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号：CN203025321U

10) 陆江等；一种功率半导体器件结电容测试装置 授权公告号：CN202141762U

11) 陆江等；一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管 申请公布号：CN108155229A

12) 陆江等；一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号：CN108122964A

13) 陆江等；一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 申请公布号：CN108122990A

14) 陆江；一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号：CN106783946A

15) 陆江；一种槽型栅功率场效应晶体管 申请公布号：CN106505099A

16) 陆江；一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号：CN106409887A

17) 陆江； 一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号：CN106409899A 发表著作 （1） 功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 2 作者 科研项目 （ 1 ） 感性负载下MOS栅功率器件的动态雪崩失效机理及可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12

硅基功率器件、宽禁带SiC功率器件的可靠性设计及优化研究、功率半导体器件测试分析；硅基霍尔集成电路传感器设计

（1） Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Journal of Semiconductors, 2018, 第 1 作者 （2） Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, Chin. Phys. B, 2017, 第 2 作者