胡晓宁
博导
个人简介
招生专业 080903-微电子学与固体电子学
招生方向 红外探测器物理与工艺
教育背景 1997-09--2000-06 中科院上海技术物理研究所 工学博士 1990-09--1993-04 中科院上海技术物理所 理学硕士 1986-09--1990-07 浙江大学 学士 工作简历 2003-04--今 中科院上海技术物理所 研究员 2001-01--2003-04 中科院上海技术物理所 副研究员 1995-09--2001-01 中科院上海技术物理所 助研 1993-04--1995-09 中科院上海技术物理研究所 研实员 奖励信息 (1) “2000元碲镉汞中波红外焦平面组件”,二等奖,省级,2006 (2) 60元长波碲镉汞探测器组件,二等奖,部委级,1998
专利成果 (1) 一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜植被方法,发明,2010,第3作者,专利号:201010198869.3 (2) 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,发明,2006,第1作者,专利号:ZL200610148070.7 (3) 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片,发明,2007,第1作者,专利号:ZL 200710038664.7 (4) 用飞秒激光制备入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法,发明,2011,第2作者,专利号:201110071308.1 科研项目 (1) Si基碲镉汞红外焦平面器件,主持,国家级,2011-01--2014-06 (2) Si基长波碲镉汞材料以及长波焦平面器件验证技术,主持,国家级,2011-01--2015-12
学术兼职
2010-06--今 上海市女科学家联谊会理事
近期论文
(1) Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究,Study of deep levels of HgCdTe diodes on Si substrates,物理学报,2011,第2作者 (2) Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究,Temperature-dependent characteristics of HgCdTe Variable-Area photovoltaic detectors on Si substrates,红外与毫米波学报,2011,第2作者