招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085208-电子与通信工程

招生方向 SOI材料与器件

教育背景 2001-09--2006-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕博连读 1997-09--2001-06 南京大学 本科

工作简历 2010-09--2012-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员 2006-09--2010-08 美国 Los Alamos 国家实验室 博士后

奖励信息 （1） 全国优秀博士学位论文，一等奖，国家级，2008 （2） 中国科学院优秀博士学位论文，一等奖，部委级，2007 （3） 中国科学院院长奖特别奖，特等奖，部委级，2006

专利成果 （1） 在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜，发明，2002，第4作者，专利号：01263468.9 （2） 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备技术，发明，2005，第1作者，专利号：200410066673.3 科研项目 （1） 高迁移率III/V-OI 新型材料探索研究，主持，部委级，2012-01--2015-12 （2） 纳电子时代的高端SOI基材料，主持，部委级，2011-10--2014-09 （3） 高迁移率绝缘体上锗新型材料研究，主持，市地级，2011-10--2013-09 （4） 氢离子注入各种晶向单晶硅中表面剥离机理研究，主持，部委级，2010-09--2013-09 （5） 22nm关键工艺技术先导研究与平台建设－新型混晶SOI与GOI高迁移率器件工艺开发，主持，专项级，2009-01--2012-12

参与会议 （1） Strain relaxation of nano-laminate SiGe in Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation，2009-04，Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, G. Bisognin, and M. Berti （2） Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage，2008-08，Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, Lin Shao, Jung-kun Lee, and N. David, Theodore

离子与固体相互作用，新型半导体材料，SOI材料与器件，微纳机构操控

（1） Tunable Helium bubble superlattice ordered by screw dislocation network，Physical Review B，2011，第1作者 （2） Aging control of organic thin film transistors via ion-implantation，Organic Electronics，2011，第5作者 （3） Origin of reverse annealing effect in hydrogen-implanted silicon，Applied Physics Letters，2010，第1作者 （4） Controlled drive-in and precipitation of hydrogen during plasma hydrogenation of silicon using a thin compressively strained SiGe layer， Applied Physics Letters，2010，第3作者 （5） Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon，Applied Physics Letters，2010，第1作者 （6） Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage type，Journal of Applied Physics，2009，第1作者 （7） Strain relaxation of SiGe in a Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation，Applied Physics Letters，2009，第1作者