奖励信息 （1） GaN基紫外探测器研究, 一等奖, 省级, 2013

专利成果 （ 1 ） 具有可重复的双极阻抗开关特性的III族氮化物忆阻器, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN201610073857.5 （ 2 ） 光电探测成像系统及其成像方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN201410182047.4 （ 3 ） 一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710180416.X

III族氮化物半导体材料MOCVD外延生长及其光电子器件研究