2002年毕业于中国科学院半导体研究所，获微电子学与固体电子学博士，2002年—2004年在北京交通大学和中国科学院半导体所做博士后，2005年—2008年在英国布里斯托大学任助理研究员，一直从事InP系半导体光电子器件与材料研究，包括MOCVD材料生长、结构设计、器件制备和表征分析。2008年加入中国科学院苏州纳米所，继续从事III-V半导体光电子器件与材料研究。 张瑞英博士一直针对国家和国民经济对III-V半导体光电子器件和材料的实际需求开展研究，现授权发明专利10项，申请发明专利8项，PCT专利1项，以第一作者、通信作者发表学术论文多篇，获苏州市"高层次紧缺人才"资助。主持国家预研、国家自然科学基金、教育部留学回国基金、江苏省工业支撑、苏州市应用研究等多项项目。与清华大学、中国科技大学、浙江大学、西安交通大学、大连理工大学、上海大学、中北大学、中电集团44所、23所和11所、中国科学院半导体所、中国科学院微系统与信息技术研究所等多个高校和科研院所建立了合作关系，是信息功能材料国家重点实验室的客座研究员。

III-V族半导体信息光电子器件 图案化衬底III-V族材料异质外延 高折射率太阳电池表面工程