孙钱，现任中国科学院苏州纳米所研究员，博士生导师，所党委委员，美国耶鲁大学博士，国家杰出青年科学基金获得者，国家优秀青年科学基金获得者，国家技术发明一等奖获得者。 2002年提前一年从中国科技大学毕业，获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中国科学院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任Epi R&D Scientist，负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2011年入选国家重点人才工程A类（首批青年项目），2012年入选江苏省“双创人才”计划和苏州工业园区“金鸡湖双百人才”，2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者，2016年入选江苏省“双创团队”，2017年入选江苏省侨届十大杰出人物，2018年入选苏州市十佳创新先锋，2022年入选江苏省“333高层次人才培养工程”第二层次。 近5年主持承担了国家重点研发计划项目、国家自然科学基金面上项目、中国科学院战略先导B类专项课题、中国科学院前沿科学重点研究项目等，累计合同经费逾6500万元。在Nature Photonics、Light: Science & Applications、ACS Photonics、 IEEE Electron Device Letters等期刊上发表了130余篇被SCI收录的学术论文。参与编写了中英文专著各一章，是50余项美国和中国发明专利的发明人。其中，高效深紫外发光二极管技术专利包和氮化镓功率电子器件专利包分别以1200万元和2000万元转让给合作企业，实现科技成果转化。应邀在氮化物半导体国际学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、ISGN、CSW、IWUMD、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。现兼任中国科学院元器件专家组成员、中国物理学会发光分会委员会委员、中国物理学会应用物理前沿推介委员会委员、中国电子学会电子材料分会青年副主任委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。

第三代半导体GaN材料生长 红绿蓝高效micro-LED与紫外大功率LED等光电子器件 GaN基功率电子和微波射频电子器件。

现兼任中国物理学会发光分会第十四届委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第十二届编辑委员会委员、《发光学报》第一届青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。