冯美鑫，2009年本科毕业于武汉大学物理学基地班，同年免试推荐到中国科学院半导体研究所读研，2014年获博士学位。2015年加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，现任研究员、硕士生导师，兼任纳米器件研究部副主任、党支部委员。入选了国家级青年人才（培养）、中国电子学会“青年人才托举工程”、江苏省“333高层次人才培养工程”、江苏省“科技副总”、江苏省“双创博士”、苏州纳米所首届“优秀青年计划”、苏州市劳动模范、苏州工业园区劳动模范等。长期致力于宽禁带半导体氮化镓（GaN）基材料与器件研究，研制了国际首支室温电注入连续激射的GaN基微盘激光器、硅衬底GaN基激光器等，相关成果被国际半导体专业媒体Semiconductor Today等跟踪报道9次。主持承担了国家自然科学基金（3项）、国家重点研发计划子课题、中国科学院先导专项子课题、中国科学院国际合作项目、江苏省重点研发计划揭榜挂帅课题等国家省市各级科研任务，累计经费逾2000万元。在Nature Photonics、ACS Photonics和Photonics Research等国际期刊发表学术论文80余篇，申请国家发明专利39项（已授权23项）和PCT国际专利6项。冯美鑫是国家杰青孙钱研究员课题组的核心科研骨干。

长期致力于第三代半导体氮化镓GaN基激光器及LED等半导体光电材料与器件的研究。