谷智
讲师
个人简介
2005年于西北工业大学获博士学位。
研究领域
1、曾经涉及的研究领域包括II-VI族半导体ZnTe晶体的生长与性能表征，稀磁半导体材料Hg1-xMnxTe晶体的生长与性能表征，晶体生长过程中温度场与热应力的计算分析。2、目前的研究课题主要集中于室温核辐射探测材料HgI2晶体和PbI2 的生长与性能表征。3、研制多种型号的真空气相晶体生长装置、Bridgman法晶体生长装置、原料合成装置、薄膜沉积装置以及真空封装装置等。
2005年于西北工业大学获博士学位。
1、曾经涉及的研究领域包括II-VI族半导体ZnTe晶体的生长与性能表征，稀磁半导体材料Hg1-xMnxTe晶体的生长与性能表征，晶体生长过程中温度场与热应力的计算分析。2、目前的研究课题主要集中于室温核辐射探测材料HgI2晶体和PbI2 的生长与性能表征。3、研制多种型号的真空气相晶体生长装置、Bridgman法晶体生长装置、原料合成装置、薄膜沉积装置以及真空封装装置等。