教育背景 1999年09-2004年07 中国科学技术大学 应用物理学 学士 2004年08-2010年08 美国 Rensselaer Polytechnic Institute （伦斯勒理工学院）应用物理学 博士（Ph.D) 工作经历 2009年5月 美国 通用电气公司（GE）全球研发中心 (GRC) 2010年8月-2013年12月 美国 Luminus Devices公司 2014年10月-2015年2月 美国 Yale University耶鲁大学访问研究 2014年1月-至今 西安交通大学电信学院电子系　 副教授 2015年1月-至今 西安交通大学电信学院电子系　 博导 特聘研究员

GaN基光电子材料和器件，InGaN、GaN材料生长，光电子器件，大功率照明芯片制备。

(1) Carrier injection modulated by V-defects in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue LEDs，Japanese Journal of Applied Physics 53 112103 (2014) (2) Deep hole injection assisted by large V-shape pits in InGaN/GaN multiple-quantum wells blue light-emitting diodes， Journal of Applied Physics 116, 123101 (2014); (3) Defect-reduced green GaInN/GaN light-emitting diode on nanopatterned sapphire，APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 151102 (2011)