2007年 毕业于 西安交通大学 电子科学与技术专业 2012年 毕业于 北京大学 微电子学与固体电子学系 2012年至今在 西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院 宽带隙化合物半导体国家重点学科实验室 目前职位为副教授，硕士生导师

主要研究方向为GaN基电子器件及其可靠性，目前主要研究点为GaN高频及超高频器件的工艺方法、器件性能，基于GaN、MoS2等新型半导体材料和器件的生物探测器研究，以及基于电子束光刻的纳米工艺加工技术。同时负责了西电宽带隙化合物半导体国家重点实验室的光刻工艺工作，目前已发开出了达到50nm的T型栅GaN HEMT器件。  已发表SCI论文20余篇，其中以第一作者已发表SCI文章10余篇；以第一发明人申请专利10项，其中已获得专利授权4项。