刘毅
教授 博士生导师
个人简介
个人简介 刘毅，男，微电子学院教授，博士生导师，1971年4月生，陕西绥德县人。分别于1992、1997、2010年获西安电子科技大学光电子技术学士学位、微电子学与固体电子学硕士学位、微电子学与固态电子学博士学位，1992年本科毕业留校至今，2012年晋升教授。2001-2003期间公派香港兴华半导体工业有限公司开展集成电路设计合作研究并在公司担任高级工程师。
本人长期从事数字集成电路相关研究工作，目前在研主持项目包括973子课题、十三五预研、航天五院横向课题等。曾获得的科研成果包括：成功研制了ECRCVD和ECRRIE设备，获得2006年陕西省科学技术奖二等奖（排名第四）；开展了NoC架构及低功耗设计方法研究，获2015年国家科学技术进步奖二等奖（排名第八）；发表学术论文三十余篇，申请专利十余项，出版著作2部。
科学研究 目前研究团队承担的科研项目：1.973子课题：服役环境下可延展柔性无机集成器件性能退化（经费55万）
2.十三五预研：OBCSiPXX仿真技术研究（经费200万）
星载XX研制（经费300万）
研究团队已结题的科研项目：1.国家自然科学基金：NoC高性能互连结构设计方法研究
2.预研基金：XX加固技术研究
3.航天五院横向课题：NC1041C-1230等微波芯片结构分析
SRAM存储器动态剂量偏置装置开发
4.昆山研究院横向课题：面向新能源汽车的电池管理系统
从事科研以来已发表学术论文三十余篇，申请专利十余项，出版著作2部。
专利：
1.徐长卿，刘毅，牛玉婷，一种基于NoC互连的差分电荷重分布容性发送器，2016/7/14，中国，中华人民共和国国家知识产权局201610551799.2
2.徐长卿、刘毅、杨银堂、牛玉婷，一种针对片上网络的低功耗、抗串扰的编解码方法及编解码装置，2016/12/09，中国，中华人民共和国国家知识产权局201611129892.0
荣誉获奖 1.2006年陕西省科学技术奖二等奖（排名第四）
2.2015年国家科学技术进步奖二等奖（排名第八）
课程教学 目前本人承担的教学任务：数字集成电路（48学时）
集成电路EDA技术（32学时）
集成电路设计实践（24学时）
集成电路版图设计
关于研究生招生的信息：
1.招收微电子学与固体电子学的博士研究生和硕士研究生；
2.招收集成电路系统设计、集成电路工程、软件工程（集成电路方向）的硕士研究生；
欢迎对半导体物理、器件、材料和设计有研究兴趣、爱好和热情的同学加入。
研究领域
1．数字集成电路设计方法及技术 2．宇航集成电路辐射效应仿真和评估方法 3．柔性电子系统设计关键技术
目前研究领域包括NoC等新型集成电路设计方法和技术、宇航集成电路辐射效应仿真和评估方法、柔性电子系统设计关键技术等
近期论文
期刊：
1.ChangqingXu,YiLiu,ZhangmingZhuandYinTangYang，"Anefficientenergyandthermal-awaremappingforregularnetwork-on-chip,"IEICEElectronicsExpress,vol.14,pp.20170769-20170769,2017.EI:20173804172173SCI:000410976700013
2.YiLiu,ChangqingXu,ShuaiMa,YinTangYang、ZhangmingZhu，GreenphasedifferencecodingwithlowswitchingactivityforNetwork-on-Chip，IEICEElectronicsExpress,12(14),pp1-8,2015/7/2EI:20153101084038SCI:000361637900004
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3.Liu,Yi、Ma,Shuai、Yang,Yintang、Zhu,Zhangming，CCS:Alow-powercapacitivelycharge-sharingtransmitterforNoClinks，IEICEElectronicsExpress,11(7),2014SCI,EI:20141617600753SCI:000344827400003
4.TengyueYi、YiLiu、YintangYang，AStudyofPNJunctionDiffusionCapacitanceofMOSFETinPresenceofSingleEventTransient，SpringerScience+BusinessMedia，LLC，partofSpringerNature2017
会议：
1.Chen,Ping;Mo,Wei;Liu,Yi，Anovellossevaluationmethodfordifferentialtransmissionlines，2014,IEEEInternationalConferenceofElectronDevicesandSolid-StateCircuits(EDSSC),2014/6/18-2014/6/20,成都,2014/7/6，EI:20152000848905
2.MinqiZheng;YiLiu;ChaoDuan;MintaoLuo，TotaldoseexperimentonNORflashandanalysisofchargepumpfailuremechanism，Solid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),201412thIEEEInternationalConferenceon，2014,EI:20151300677014
3.柏倩倩，刘毅，王成，吴振宇.基于FinFETSRAM辐射效应仿真分析[C].InternationalConferenceonRadiationEffectsofElectronicDevices(ICREED),Oct.19-212015,Harbin-China:283－286.Poster
4.ChangqingXu,YiLiu,andYintangYang，High-speed,low-powertransmitterbasedonchargeredistributionforNoClinksInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),Oct.25-282016,Hangzhou-China:1005－1007.Oral
5.YiLiu,Zhi-JiaoWang,Jin-BaoHao.StudyonNeutronRadiationEffectofFinFETSRAM[C].InternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),Oct.25-282016,Hangzhou-China:1002－1004.Poster
6.Jin-BaoHao,YiLiu,Zhi-JiaoWang.ResearchofTransientRadiationEffectsonFinFETSRAMsComparedwithPlanarSRAMs[C].InternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),Oct.25-282016,Hangzhou-China:1005－1007.Poster