冯倩
教授 博导
个人简介
个人简介 冯倩，女，汉族，西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师。2004年博士毕业后留在西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室工作，长期从事宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件的研究，先后承担和参与了国家自然科学基金重点项目、国家科技重大专项、国家重点研发计划、国防973、国防预研以及国家电子信息产业发展基金、陕西省电子发展基金等多项国家级部委级项目，在这些项目中主要承担了III-N材料表征分析与光电/电子器件的研制与测试分析。自2012年起开展超宽禁带半导体氧化镓材料的理论仿真研究，外延生长以及日盲紫外探测器和高压大功率二极管和MOSFET器件的研究，所研制的场板结构肖特基二极管性能达到国际最高水平，MOSFET器件的性能也达到同期国际水平。在IEEEElectron.DeviceLetter,IEEETrans.ElectronDevices、IEEEPhotonicsJournal,AppliedPhysicsLetters等国际著名期刊及会议上发表论文50余篇，申请/授权专利40余项，获省部级奖励三项（2006年陕西省科技进步一等奖、2006年国防科技进步二等奖和2008年教育部科学技术进步奖二等奖），国家级奖励一项（2009年国防技术发明奖二等奖）。
教育经历：
1993/07-1997/07，西安电子科技大学，光电子技术，学士
1997/09-2000/03，西安电子科技大学，物理电子学与光电子学，硕士
2000/03-2004/03，西安电子科技大学，微电子学与固体电子学，博士
工作经历：
2000/04-2002/07，西安电子科技大学，技术物理学院，助教
2002/04-2004/07，西安电子科技大学，技术物理学院，讲师
2004/07-2006/07，西安电子科技大学，微电子学院，讲师
2006/07-2014/07，西安电子科技大学，微电子学院，副教授
2014/07-至今，西安电子科技大学，微电子学院，教授
科学研究 目前研究团队承担的科研项目：国家自然科学基金、2018年度国家重点研发计划
授权专利：
(1)基于GaN纳米柱结构的染料敏化太阳能电池的制作方法,ZL201210133078.1
(2)氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法,ZL201210010844.5
(3)无机与有机混合太阳能电池,ZL201210010929.3
(4)GaN纳米柱反转结构的混合太阳能电池的制作方法,ZL201210131229.X
(5)基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法,ZL201410030986.7
(6)一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaNHEMT器件结构及制作方法,ZL201410312712.7
(7)一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaNMISHEMT器件结构及其制作方法,ZL201410312393.x
(8)耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法,ZL201410025026.1
(9)基于增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法,ZL201410025004.5
荣誉获奖 (1)2009年国家技术发明二等奖
(2)2008年高等学校科技进步二等奖
(3)2006年国防科技进步二等奖
(4)2006年陕西省科学技术一等奖
课程教学 目前本人承担的教学任务：
(1)线性代数
(2)集成电路专业英语
招生要求
关于研究生招生的信息：
微电子学与固体电子学博士
微电子学与固体电子学硕士
集成电路工程硕士
软件工程（集成电路方向）硕士
研究领域
1、宽禁带/超宽禁带材料的外延生长与表征
2、宽禁带/超宽禁带光电器件与电子器件的设计与制备
学术兼职
现为AppliedSurfaceScience，JournalofAlloysandMaterials,OpticalMaterialExpress,IEEEPhotonicsJournal,物理学报等国内外期刊审稿人。
近期论文
代表论文：
(1)ExperimentalandtheoreticalstudiesofMo/AuSchottkycontactonmechanicallyexfoliatedß-Ga2O3thinfilms,ZhuangzhuangHu,QianFeng*,ZhaoqingFeng,YuncongCai,YixianShen,GuangshuoYan,XiaoliLu,ChunfuZhang,HongZhou,JinchengZhang,YueHao,NanoscaleResearchLetters,vol.14,2,2019
(2)TemperarturedependentelectricalpropertiesofpulselaserdepositedAu/Ni/beta-(AlGa)2O3Schottkydiode，QianFeng*,ZhaoqingFeng,ZhuangzhuangHu,XiangyuXing,GuangshuoYan,JinchengZhang,YongkuanXu,XiaozhengLian,andYueHao，APPLIEDPHYSICSLETTERS，Vol,112,No.7,pp.072103,2018
(3)Field-PlatedLateralß-Ga2O3Schottkybarrierdiodewithhighreverseblockingvoltageofmorethan3kVandhighDCpowerFigure-of-Meritof500MV/cm2,ZhuangzhuangHu,HongZhou,QianFeng,JinchengZhang,ChunfuZhang,KuiDang,YuncongCai,ZhaoqingFeng,YangyangGao,XuanwuKangandYueHao,IEEEElectrondeviceletters,Vol.39,No.10,pp.1564,2018
(4)BandalignmentofSiO2/(AlxGa1-x)2O3(0<=x<=0.49)determinedbyX-rayphotoelectronspectroscopy,ZhaoqingFeng,QianFeng*,JinchengZhang*,XiangLi,FuguoLi,LuHuang,Hong-YanChen,Hong-LiangLu,YueHao,APPLIEDSURFACESCIENCE,Vol,434,No.7,pp:440-444.2018
(5)BandalignmentsofSiO2andHfO2dielectricswith(AlxGa1-x)(2)O-3film(0<=x<=0.53)grownonGa2O3bufferlayeronsapphire,ZhaoqingFeng,QianFeng*,JinchengZhang*,ChunfuZhang,HongZhou,XiangLi,LuHuang,LeiXu,YuanHu,ShengjieZhao,YueHao,JOURNALOFALLOYSANDCOMPOUNDS,Vol,745,No.7,pp:292-298,2018
(6)Tin-assistedgrowthofε-Ga2O3filmandthefabricationofphotodetectorsonsapphire,YuncongCai,KeZhang,QianFeng*,YanZuo,ZhuangzhuangHu,ZhaoqingFeng,HongZhou,XiaoliLu,ChunfuZhang,WeihuaTang,Jincheng,OPTICALMATERIALSEXPRESS,Vol.8，No.11,pp.3506,2018
(7)Influenceofannealingatmosphereontheperformanceofaβ-Ga2O3thinfilmandphotodetector,ZhaoqingFeng,LuHuang,QianFeng*,XiangLi,HuiZhang,WeihuaTang,JinchengZhang,andYueHao,OPTICALMATERIALSEXPRESS,Vol.8，No.8,pp.2229,2018
(8)Researchonthegrowthofbeta-(AlGa)(2)O-3filmandtheanalysisofelectricalcharacteristicsofNi/AuSchottkycontactusingTung'smodel,QianFeng*,ZhuangzhuangHu,ZhaoqingFeng,XiangyuXing,YanZuo,GuangshuoYan,XiaoliLu,ChunfuZhang,HongZhou,JinchengZhang,SUPERLATTICESANDMICROSTRUCTURES,Vol.120，pp.441-447,2018
(9)InvestigationoftemperaturedependentelectricalcharacteristicsonAu/Ni/beta-Ga2O3Schottkydiodes,AngLi,QianFeng*,JinchengZhang,ZhuangzhuangHu,ZhaoqingFeng,KeZhang,ChunfuZhang,HongZhou,Yuehao,SUPERLATTICESANDMICROSTRUCTURES,Vol.119,pp.212-217,2018
(10)Opticalpropertiesof(AlxGa1-x)(2)O3onsapphire,ZhuangzhuangHu,QianFeng*,JinchengZhang*,FuguoLi,XiangLi,ZhaoqingFeng,ChunfuZhang,YueHao,SUPERLATTICESANDMICROSTRUCTURES,Vol.114，pp.82-88,2018
(11)(InxGa1−x)2O3PhotodetectorsFabricatedonSapphireatDifferentTemperaturesbyPLD,KeZhang,QianFeng*,LuHuang,ZhuangzhuangHu,ZhaoqingFeng,AngLi,HongZhou,XiaoliLu,ChunfuZhang,JinchengZhang,andYueHao,IEEEPhotonicsJournal,Vol.10，No.3,pp.6802508,2018
(12)Lateralbeta-Ga2O3SchottkyBarrierDiodeonSapphireSubstrateWithReverseBlockingVoltageof1.7kV,ZhuangzhuangHu,HongZhou,KuiDang,YuncongCai,ZhaoqingFeng,YangyangGao,QianFeng*，JinchengZhang*,YueHao,Vol.6，pp.815-820,2018
(13)(AlGa)2O3solar-blindphotodetectorsonsapphirewithwiderbandgapandimprovedresponsivity,QianFeng,XiangLi,GenquanHan,LuHuang,FuguoLi,WeihuaTang,JinchengZhangandYuehao,OPTICALMATERIALSEXPRESS,Vol,7,No.4,pp:1240-1248,2017
(14)Comparisonstudyofb-Ga2O3photodetectorsgrownonsapphireatdifferentoxygenpressures,LuHuangQianFengGenquanHanFuguoLiXiangLiLiweiFang,IEEEPhotonicsJorunal,vol.9,no.4,pp:6803708，2017
(15)Comparisonstudyofb-Ga2O3photodetectorsonbulksubstrateandsapphire,QianFeng,LuHuangGenquanHanFuguoLiXiangLiLiweiFang,XiangyuXing,JinchengZhang,WenxiangMu,ZhitaiJia,DaoyouGuo,WeihuaTang,XutangTaoandYueHao,IEEETransactionsonElectronDevice,vol.63,no.9,pp.3578,2016
(16)Thepropertiesofgalliumoxidethinfilmgrownbypulsedlaserdeposition,FengQian,LiFuguo,DaiBo,JiaZhitai,XieWenlin,XuTong,LuXiaoli,TaoXutang,ZhangJincheng,HaoYue,AppliedSurfaceScience,Vol.359,pp:847,2015