个人简介
包乌吉斯古楞，女，蒙古族，1983年9月出生，通辽市人，博士研究生，讲师。
2006年7月，本科毕业于内蒙古师范大学。2009年6月，硕士研究生毕业于内蒙古师范大学。2014年3月，博士毕业于日本名古屋工业大学。
主要经历 2002.09——2006.07，在内蒙古师范大学学习。 2006.09——2009.06，在内蒙古师范大学攻读硕士研究生。 2011.04——2014.03，在日本名古屋工业大学攻读博士研究生。 2014.08——2018.09，在渤海大学工作。 2018.09——2019.12，在内蒙古民族大学物理与电子信息学院工作。 2020.01——今，在内蒙古民族大学数理学院工作。
承担课程 讲授应用物理专业本科生的专业课程《普通物理学（上）》和《力学》。
论文： 包乌吉斯古楞，包国军，AMPS-1D 软件对《半导体器件物理》教学过程中的应用，中国教工，2019, 24: 48。
专著： 包乌吉斯古楞，Cu2ZnSnS4基异质结界面能带带阶的第一性原理研究，东北大学出版社，ISBN 978-7-5517-2121-9, 2019年6月。
科研项目 1.国家自然科学基金项目，项目编号11547226，第一性原理研究Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4型半导体系异质结界面能带结构，2016.01.01—2016.12.31。 2.内蒙古民族大学博士科研启动基金项目，项目编号BS484，Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4系太阳能电池异质结界面特性研究，2019.03—2022.03。 3.内蒙古自治区留学回区人员创新项目，第一性原理研究铜锌锡硫基太阳能电池界面特性，内蒙古自治区人力资源和社会保障厅，2021.01-2021.12，主持。
研究领域
薄膜太阳能电池。指导研究生意向：太阳能电池仿真研究，即采用第一性原理计算软件和太阳能电池仿真软件相结合的方法，研究薄膜太阳能电池材料性质、界面特性和电池输出特性
近期论文
1.Wujisiguleng Bao, FangYuan Qiu, Sachuronggui Bai, Yuan Li, Study of Band Offset at ZnS/Cu2ZnIVS4(IV=Si,Ge,Sn) Heterointerfaces, Optoelectronics and Advanced Materials Rapid Communications, 2018, 12(5-6): 327-331（SCI）
2.Wujisiguleng Bao, Sachuronggui, Fangyuan Qiu, Band Offsets Engineering at CdxZn1-xS/Cu2ZnSnS4 Heterointerface, Chinese Physics B, 2016, 25 (12): 127102 （SCI）
3.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, Influence of Secondary Phases in Kesterite-Cu2ZnSnS4 Absorber Material Based on the First-principles Calculation, International Journal of Photoenergy, 2015 (2015): 592079.（SCI）
4.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, Band Offsets at the ZnO/Cu2ZnSnS4 Interface Based on the First Principles Calculation, Japanese Journal of Applied Physics, 2013, 52(6R): 061203.（SCI）
5.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, First-Principles Study on Influences of Crystal Structure and Orientation on Band Offsets at the CdS/Cu2ZnSnS4 Interface, International Journal of Photoenergy, 2012 (2012): 619812.（SCI）
6.Wujisiguleng Bao, Masaya Ichimura, Prediction of the Band Offsets at the CdS/Cu2ZnSnS4 Interface Based on the First-Principles Calculation, Japanese Journal of Applied Physics, 2012, 51(10): 10NC31.（SCI）
7.Wujisiguleng Bao, Sa C, Qiu F Y. First Principles Calculation Study of Zn1-xMgxO/Cu2ZnSnS4 Heterointerface, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 2020, 740(1): 012066.（EI）
8.包乌吉斯古楞，乌仁图雅，赵凤岐，纤锌矿 GaN/AlN 量子阱中束缚极化子能量，内蒙古师范大学学报，2009, 38(3):273-277.（核心）
9.包乌吉斯古楞，萨初荣贵，Zn1-xMgxO/Cu2ZnSnS4异质结薄膜太阳能电池的仿真研究，固体电子学研究与进展，2020年，已接受。（核心）