郑同场，男，1984年6月生，福建三明人，工学博士。

2016年7月于厦门大学获工学博士学位。2016年9月

到集美大学理学院任教。主要从事III-V族化合物光电子材料与器件的研究，发表学术论文10余篇。 教育及工作背景：

2003.9-2007.7长安大学,获学士学位

2007.9-2010.7华南师范大学，获硕士学位

2010.9-2016.7厦门大学，获博士学位

2016.9-至今集美大学理学院物理系工作

主讲课程:

本科生：《大学物理》，《大学物理实验》

III-V族化合物光电子材料的第一性原理研究与器件制备

1.Zheng，TC;Lin,W;Liu,R;Cai,DJ;Li,JC;Li,SP;Kang,JY;“Improvedp-typeconductivityinAl-richAlGaNusingmultidimensionalMg-dopedsuperlattices”,ScientificReports,6,21897,2016.

2.T.C.Zheng,W.Lin,D.J.Cai,W.H.Yang,W.Jiang,H.Y.Chen,J.C.Li,S.P.Li,andJ.Y.Kang.“HighMgeffectiveincorporationinAl-richAlxGa1-xNbyperiodicrepetitionofultimateV/IIIratioconditions”,NanoscaleResearchLetters,9,40,2014.

3.A.Soomro,C.P.Wu,Na.Li,T.C.Zheng,H.C.Wang,H.Y.Chen,J.C.Li,S.P.Li,D.J.Cai,andJ.Y.Kang.“ModifiedpulsegrowthandmisfitstrainreleaseofanAlNheteroepilayerwithaMg-SicodopingpairbyMOCVD”,JournalofPhysicsD:Appliedphysics,49,115110,2016.

4.J.J.Zheng,S.Q.Li,C.L.Chou,W.Lin,F.L.Xun,F.Guo,T.C.Zheng,S.P.Li,andJ.Y.Kang.“DirectobservationofthebiaxialstresseffectonefficiencydroopinGaN-basedlight-emittingdiodeunderelectricalinjection”,ScientificReports,5,17227,2015.

5.N.Lin,J.J.Wu,H.M.Xu,N.L.Liu,T.C.Zheng,W.Lin,C.Liu,andD.J.Cai.“Insituself-releaseofthickGaNwaferfromsapphiresubstrateviagradedstrainfieldengineering”,AppliedPhysicsLetters,104(1),012110,January,2014.

6.H.Z.Guo,N.Lin,Y.Z.Chen,Z.W.Wang,Q.S.Xie,T.Z.Zheng,N.Gao,S.P.Li,J.Y.Kang,D.J.Cai,andD.L.Peng.“Coppernanowiresasfullytransparentconductiveelectrodes”,ScientificReports,3,2323,July,2013.