朱会丽，女，1978年11月生，河南省商丘县人，理学博士。

2007年11月毕业于厦门大学凝聚态物理专业博士学位。

主要从事宽禁带半导体光电器件制备及性能研究，发表SCI论文10余篇。主持省级自然科学基金1项，省教育厅项目1项，校级科学基金1项，参与国家级项目3项，省级自然科学基金2项。 教育及工作背景：

1997.9-2001.6河南大学物理系,获学士学位

2001.9-2004.6河南大学物理系,获硕士学位

2004.9-2007.11厦门大学物理系，获博士学位

2007.11-至今集美大学理学院物理系工作

主讲课程:

本科生：《大学物理》，《半导体物理与器件》，《光电检测和测试技术》，《光电检测和测试技术实验》，《光电技术专题实验》。 近五年主持的科研项目：

1.分离吸收、电荷和倍增层4H-SiC雪崩光电探测器的研制（福建省自然科学基金负责人）

2.4H-SiCp型欧姆接触的研究（集美大学科研启动基金负责人）

3.高性能4H-SiC紫外雪崩光电探测器的研制（福建省教育厅基金负责人） 已授权发明专利：

1.吴正云;张峰;朱会丽;用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法,公开号:CN100447583C,2008/12/31授权.

2.吴正云;朱会丽;陈厦平;张峰;一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法,公开号:CN100514680C,2009/07/15授权.

3.吴正云;陈厦平;朱会丽;卢嵩岳;李凌;δ掺杂4H－SiCPIN结构紫外光电探测器及其制备方法,公开号:CN101000936A,2008/11/26授权.

4.卢嵩岳;吴正云;李凌;陈厦平;朱会丽;一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器,公开号:CN201032635Y,2014/04/30授权

宽禁带半导体（SiC、GaN）光电器件制备及性能研究

二维半导体材料的外延生长及光电性质的第一性原理研究

基于二维半导体材料的光电器件的研究

1.Zhu,HL;Zhou,CJ;Wang,XL;Chen,XW;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;PHYSICASTATUSSOLIDIB-BASICSOLIDSTATEPHYSICS,253(2016)1156-1166,“Dopingbehaviorsofadatomsadsorbedonphosphorene”(IDSNumber:DP6TJ)

2.Zhu,HL;Zhou,CJ;Huang,XJ;Wang,XL;Xu,HZ;Lin,Y;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;Guo,F;JOURNALOFPHYSICSD-APPLIEDPHYSICS,49(2016)065304,“EvolutionofbandstructuresinMoS2-basedhomo-andheterobilayers”(IDSNumber:DA9AV)

3.Zhou,CJ;Zhu,HL*;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;PHYSICASTATUSSOLIDIB-BASICSOLIDSTATEPHYSICS,252(2015)1783-1791,“Metal-atom-inducedchargeredistributionsandtheireffectsontheelectricalcontactstoWS2monolayers”(IDSNumber:CO3UI)

4.Zhou,CJ;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;Zhu,HL*;JOURNALOFPHYSICSD-APPLIEDPHYSICS,48(2015)285303,“TheoreticalstudyoftheinteractionofelectrondonorandacceptormoleculeswithmonolayerWS2”(IDSNumber:CL0IV)

5.Zhu,HL;Yang,WH;Wu,YP;Lin,W;Kang,JY;Zhou,CJ;CHINESEPHYSICSB,24(2015)077301,“AuandTiinducedchargeredistributionsonmonolayerWS2”(IDSNumber:CP1UU)

6.Zhou,CJ;Wu,YP;Chen,XH;Lin,W;Zhou,YH;Kang,JY;Zhu,HL;NANO-MICROLETTERS,7(2015)194-202,“NovelEvolutionProcessofZn-InducedNanoclustersonSi(111)-(7x7)Surface”(IDSNumber:CF1HR)

7.Zhou,CJ;Yang,WH;Zhu,HL*;JOURNALOFCHEMICALPHYSICS,142(2015)214704,“MechanismofchargetransferanditsimpactsonFermi-levelpinningforgasmoleculesadsorbedonmonolayerWS2”(IDSNumber:CK0YM)

8.Huang,XJ;You,RY;Wang,XL;Fu,XM;ZhuHL；OPTOELECTRONICSLETTERS,6(2010)0473-0476,“Polarizabilityandabnormalinfraredspectraofmoleculesadsorbedonmetalnanostructuredsurfaces”

9.Zhu,HL;Chen,XP;Cai,JF;Wu,ZY；SOLID-STATEELECTRONICS,53(2009)7-10,“4H-SiCultravioletavalanchephotodetectorswithlowbreakdownvoltageandhighgain”(IDSNumber:395VS)

10.Zhang,F;Zhu,HL;Yang,WF;Wu,ZY;Qi,HJ;He,HB;Fan,ZX;Shao,JD；APPLIEDSURFACESCIENCE,254(2008)3045-3048,“Al2O3/SiO2filmspreparedbyelectron-beamevaporationasUVantireflectioncoatingson4H-SiC”(IDSNumber:277VV)

11.Zhang,F;Yang,WF;Huang,HL;Chen,XP;Wu,ZG;Zhu,HL;Qi,HG;Yao,JK;Fan,ZX;Shao,JD；APPLIEDPHYSICSLETTERS,92(2008)251102,“High-performance4H-SiCbasedmetal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorswithAl(2)O(3)/SiO(2)films”(IDSNumber:320KC)

12.Cheng,PH;Zhu,HL;Bai,Y;Zhang,YK;He,TC;Mo,YJ；OPTICSCOMMUNICATIONS,270(2007)391-395,“Third-ordernonlinearopticalresponseofsiliconnanostructuresdispersedinorganicsolventunder1064nmand532nmlaserexcitations”(IDSNumber:135MM)

13.Chen,XP;Zhu,HL;Cai,JF;Wu,ZY；JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS,102(2007)024505,“High-performance4H-SiC-basedultravioletp-i-nphotodetector”(IDSNumber:196MD)

14.周昌杰；吴雅苹；陈晓航；周颖慧；朱会丽；康俊勇；厦门大学学报（自然科学版），54(2015)80-86，“纤锌矿结构ZnO（0001）-Zn和（000-1）-O极性表面稳定几何及电子结构性质”

15.朱会丽；陈厦平；吴正云；半导体学报，28(2007)284-288，“吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器”

16.朱会丽；陈厦平；吴正云；量子电子学报，24(2007)743-747，“用于4H-SiC雪崩光电探测器P型欧姆接触的研究”

17.吕英;庞爱锁;杨伟锋;陈厦平;朱会丽;吴正云；福州大学学报（自然科学版），35(2007)8-10，“不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究”

18.朱会丽；尹延锋；兰燕娜；莫育俊；河南大学学报（自然科学版），36(2006)47-49，“电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅”

19.孔令民；蔡加法；陈厦平；朱会丽；吴正云；牛智川；半导体光电，26(2005)519-522，“多层InAs量子点的光致发光研究”

20.白莹；兰燕娜；朱会丽；莫育俊；光学学报，25(2005)1712-1716，“多孔硅拉曼光谱随激发功率变化的研究”

21.兰燕娜；杜银霄；朱会丽；董华；高影；莫育俊；光子学报，33(2004)1461-1464，“多孔硅在30～180℃温区光致发光谱的研究”